style="width:5.25336in;height:5.14008in" /> 本文是学习GB-T 25076-2018 太阳能电池用硅单晶. 而整理的学习笔记,分享出来希望更多人受益,如果存在侵权请及时联系我们
本标准规定了太阳能电池用硅单晶(简称硅单晶)的牌号、分类、要求、试验方法、检验规则以及标
志、包装、运输、贮存、质量证明书和订货单(或合同)内容。
本标准适用于直拉掺杂制备的圆形硅单晶经加工制成的准方形或方形硅单晶。产品经切割成硅片
后进一步制作太阳能电池。
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件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改单)适用于本文件。
GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法
GB/T 1551 硅单晶电阻率测定方法
GB/T 1554 硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法
GB/T 1557 硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
GB/T 1558 硅中代位碳原子含量红外吸收测量方法
GB/T 6616 半导体硅片电阻率及硅薄膜薄层电阻测试方法 非接触涡流法
GB/T11073 硅片径向电阻率变化的测量方法
GB/T 14140 硅片直径测量方法
GB/T 14264 半导体材料术语
GB/T 14844 半导体材料牌号表示方法
GB/T 26068 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
GB/T 32651
采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法
YS/T 28 硅片包装
YS/T 679 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法
GB/T 14264 界定的术语和定义适用于本文件。
硅单晶的牌号表示按GB/T 14844 的规定。
4.2.1 硅单晶按导电类型分为 P 型、N 型两种。
GB/T 25076—2018
4.2.2
硅单晶按照外形尺寸分为准方形和方形两种。准方形硅单晶按其端面边长分为100.75
mm、
125.75 mm、156I、156Ⅱ、156Ⅲ、161.75 mm、210.75
mm;方形硅单晶按其端面边长分为100.75 mm、
125.75 mm、156.75 mm、210.75 mm ;其他尺寸规格可由供需双方协商确定。
准方形硅单晶的端面如图1所示，端面尺寸应符合表1的规定。
style="width:5.25336in;height:5.14008in" />
说明：
A— 边长；
C— 弦长；
D—— 直径；
F— 弧线在边长A 上的投影。
图 1 准方形硅单晶的端面示意图
表 1 准方形硅单晶的端面尺寸 单位为毫米
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方形硅单晶的端面如图2所示，端面尺寸应符合表2的规定。
style="width:4.97331in;height:4.75992in" />
说明：
A— 边长；
C ——倒角后边长；
E—— 倒角后的对角线长度；
G— 对角线长度；
H— 倒角长度；
a — 倒角角度。
图 2 方形硅单晶的端面示意图
GB/T 25076—2018
表 2 方形硅单晶的端面尺寸 单位为毫米
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准方形或方形硅单晶的端面垂直度应不大于1 mm, 端面相邻两边长(A)
之间的垂直度为90°±0.3°。
硅单晶的导电类型、电阻率、径向电阻率变化及载流子复合寿命应符合表3的规定。需方如对电阻
率、径向电阻率变化以及载流子复合寿命有其他要求时，由供需双方协商解决。
GB/T 25076—2018
表3 电学性能
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5.3.1 圆形硅单晶的晶向偏离度应不大于3°。
5.3.2
准方形和方形硅单晶的晶向为\<100>,晶向偏离度应不大于2°,边缘晶向为\<100>±2°。
P 型硅单晶的间隙氧含量应不大于1.1×10¹ atoms/cm³,N
型硅单晶的间隙氧含量应不大于
1.0×10¹\$atoms/cm³,或由供需双方协商确定。
P 型硅单晶的代位碳含量应不大于1.0×10¹⁷ atoms/cm³,N
型硅单晶的代位碳含量应不大于5.0×
10¹⁶atoms/cm³, 或由供需双方协商确定。
硅单晶的位错密度应不大于3000个/cm², 且无滑移位错。
硅单晶的体内铁含量及其总金属含量要求由供需双方协商确定。
硅单晶的表面及端面(包括准方形倒角面)应平整、光滑，无明显划痕、沾污、色差，不应有裂痕、缺
口，端面崩边允许总长度应不大于8 mm。
6.1 直径的测量按 GB/T 14140
的规定进行，其他外形尺寸的测量用游标卡尺或相应精度的量具
进行。
6.2 导电类型的测试按GB/T 1550 的规定进行。
6.3 电阻率的测试按GB/T 1551或 GB/T6616 的规定进行，仲裁方法按GB/T1551
的规定进行。
6.4 径向电阻率变化的测试按 GB/T11073
的规定进行，测试点的选择方案和径向电阻率变化计算公
式的选择由供需双方协商确定。
6.5 载流子复合寿命的测试按GB/T
26068的规定进行或按供需双方协商确定的方法进行。
6.6 晶向及晶向偏离度的测试按GB/T 1555 的规定进行。
6.7 间隙氧含量的测定按GB/T 1557 的规定进行。
6.8 代位碳含量的测定按GB/T 1558 的规定进行。
GB/T 25076—2018
6.9 晶体完整性检验按 GB/T 1554 进行。
6.10 体金属铁含量的测定按 YS/T679 的规定进行，体内总金属含量的测定按
GB/T 32651进行，或 按供需双方协商确定的测试方法进行。
6.11
表面质量的检验在正常照明条件下由人工目视检查，必要时使用相应精度的工具进行测量。
7.1.1
产品应由供方技术(质量)监督部门进行检验，保证产品质量符合本标准和订货单(或合同)的规
定，并填写产品质量证明书。
7.1.2
需方可对收到的产品按本标准的规定进行检验，若检验结果与本标准或订货单(合同)的规定不
符时，应在收到产品之日起3个月内向供方提出，由供需双方协商解决。
产品以成批提交验收，每批应由同一牌号、相同导电类型、相同外形尺寸的硅单晶组成。
7.3.1
每批产品应对外形尺寸、导电类型、电阻率、径向电阻率变化、载流子复合寿命、晶向及晶向偏离
度、氧含量、碳含量、晶体完整性、表面质量进行检验。
7.3.2 体金属含量是否检验由供需双方协商确定。
硅单晶的取样按表4的规定进行。如按照其他方案进行取样，由供需双方协商确定。
表 4 取样
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GB/T 25076—2018
表 4 (续)
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7.5.1
外形尺寸、导电类型、晶向的任一检验结果不合格时，判该根硅单晶不合格。除去不合格硅单晶
后的产品进行抽样检验其他项目。
7.5.2
电阻率、径向电阻率变化、载流子复合寿命、晶向偏离度、氧含量、碳含量、晶体完整性采用抽样
检验。抽取4个试样时，有2个或2个以上试样不合格，取双倍数量的试样进行重复试验，重复试验结
果仍有不合格时，判该批硅单晶不合格；抽取3个及3个以下的试样时，有1个或2个试样不合格，则取
双倍数量的试样进行重复试验，重复试验结果仍有不合格时，判该批产品不合格。
7.5.3 表面质量、体金属含量检验结果的判定由供需双方协商确定。
产品包装箱外应标有"小心轻放""易碎""防腐""防潮"字样或标志，并注明：
a) 供方名称；
b) 产品名称；
c) 产品质量。
产品的包装按 YS/T 28 的规定进行，也可由供需双方协商确定。
产品在运输过程中应轻装轻卸，严禁抛掷，且应采取防震、防潮措施。
style="width:3.09333in" />GB/T 25076—2018
产品应贮存在清洁、干燥环境中。
每批产品应有质量证明书，其上写明：
a) 供方名称；
b) 产品名称或牌号；
c) 产品批号；
d) 产品净重及硅单晶根数；
e) 各项分析检验结果和检验部门的印记；
f) 本标准编号；
g) 出厂日期。
订购本标准所列产品的订货单(或合同)应包含下列内容：
a) 产品名称；
b) 产品要求；
c) 数量；
d) 本标准编号；
e) 供需双方协商确定的其他要求。
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